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Parametrisches Äquivalent

AOK20N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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onsemi
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IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
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Vorrätig: 416
Stückpreis : € 2,85000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 659
Stückpreis : € 2,01000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 25
Stückpreis : € 4,24000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 869
Stückpreis : € 2,71000
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Vorrätig: 70
Stückpreis : € 3,98000
Datenblatt
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TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AOT20N60L

DigiKey-Teilenr.
785-1512-5-ND
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Hersteller-Teilenummer
AOT20N60L
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
370mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3680 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
AOT20
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