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Direkter Ersatz


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Datenblatt
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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IXTP12N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXTP12N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP12N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1100 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
300mOhm bei 6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.995785-1250-5-ND€ 3,08000Direkter Ersatz
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