PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SPP11N60C3XKSA1

DigiKey-Teilenr.
SPP11N60C3XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SPP11N60C3XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SPP11N60C3XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,9V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1200 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Stange
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100€ 1,29480€ 129,48
500€ 1,05340€ 526,70
1 000€ 0,97586€ 975,86
2 000€ 0,94003€ 1 880,06
Standardverpackung des Herstellers
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