IKA08N65ET6XKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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Infineon Technologies

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Stückpreis : € 1,72000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IKA08N65ET6XKSA1
DigiKey-Teilenr.	IKA08N65ET6XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IKA08N65ET6XKSA1
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 11A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 11 A 33 W Durchkontaktierung PG-TO220-3-FP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IKA08N65ET6XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	TRENCHSTOP™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	11 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	25 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,9V bei 15V, 5A
Leistung - Max.	33 W
Schaltenergie	110µJ (Ein), 40µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	17 nC
Td (on/off) bei 25°C	20ns/59ns
Testbedingung	400V, 5A, 47Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	43 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-FP
Basis-Produktnummer	IKA08N65