Name: SIRA20DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA20DP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.2326 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIRA20DP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	SIRA20DP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIRA20DP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIRA20DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIRA20DP-T1-RE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 81,7 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIRA20DP-T1-RE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	81,7 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,58mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10850 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SIRA20