Name: SIHD6N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N65E-GE3-ND
Price: 2.4644 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHD6N65E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHD6N65E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHD6N65E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIHD6N65E-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	600mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	820 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	78W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	SIHD6

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 2,02000	€ 2,02
75	€ 0,92173	€ 69,13
150	€ 0,83067	€ 124,60
525	€ 0,70107	€ 368,06
1 050	€ 0,64497	€ 677,22
2 025	€ 0,60007	€ 1 215,14
5 025	€ 0,56140	€ 2 821,03

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