
IGT65R025D2ATMA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGT65R025D2ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGT65R025D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IGT65R025D2ATMA1 |
Beschreibung | GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 70 A (Tc) 236W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IGT65R025D2ATMA1 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | - | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 30mOhm bei 18A | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 1,6V bei 6,1mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 11 nC @ 3 V | |
Vgs (Max.) | -10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 780 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 236W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-HSOF-8 | |
Gehäuse / Hülle |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 10,98000 | € 10,98 |
| 10 | € 7,63100 | € 76,31 |
| 100 | € 6,10180 | € 610,18 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 2 000 | € 4,98514 | € 9 970,28 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 10,98000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 13,39560 |









