Name: VS-GT200TS065N
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-GT200TS065N-ND
Price: 92.2442 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VS-GT200TS065N
DigiKey-Teilenr.	112-VS-GT200TS065N-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-GT200TS065N
Beschreibung	IGBT MOD 650V 193A INTA-PAK IGBT
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Schlitz Halbbrückenwechselrichter 650 V 193 A 517 W Chassisbefestigung INT-A-PAK IGBT
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	FRED Pt®
Verpackung	Box
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Schlitz
Konfiguration	Halbbrückenwechselrichter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	193 A
Leistung - Max.	517 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,3V bei 15V, 200A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 µA
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	INT-A-PAK IGBT