MFG_VS-GTxxxTS065x
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VS-GT100TS065N

DigiKey-Teilenr.
112-VS-GT100TS065N-ND
Hersteller
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer
VS-GT100TS065N
Beschreibung
IGBT MOD 650V 96A INT-A-PAK IGBT
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Modul Trench Feldstopp Halbbrückenwechselrichter 650 V 96 A 259 W Chassisbefestigung INT-A-PAK IGBT
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
Trench Feldstopp
Konfiguration
Halbbrückenwechselrichter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
96 A
Leistung - Max.
259 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,3V bei 15V, 100A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50 µA
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Nein
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
INT-A-PAK IGBT
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Menge
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 62,20000€ 62,20
15€ 48,08600€ 721,29
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:€ 75,88400