Name: TK16E60W5,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16E60W5S1VX-ND
Price: 4.9288 EUR
Availability: OutOfStock

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TK16E60W5,S1VX
DigiKey-Teilenr.	TK16E60W5S1VX-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK16E60W5,S1VX
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 15,8 A (Ta) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK16E60W5,S1VX Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	230mOhm bei 7,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 790µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1350 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	130W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	TK16E60

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