TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP28N65M2

DigiKey-Teilenr.
497-STP28N65M2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP28N65M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1440 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Stange
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100€ 1,56220€ 156,22
500€ 1,27920€ 639,60
1 000€ 1,18833€ 1 188,33
2 000€ 1,14052€ 2 281,04
Standardverpackung des Herstellers
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