NGTG35N65FL2WG onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NGTG35N65FL2WG
DigiKey-Teilenr.	NGTG35N65FL2WGOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NGTG35N65FL2WG
Beschreibung	IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Feldblende 650 V 70 A 300 W Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NGTG35N65FL2WG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Feldblende
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	70 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	120 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2V bei 15V, 35A
Leistung - Max.	300 W
Schaltenergie	840µJ (Ein), 280µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	125 nC
Td (on/off) bei 25°C	72ns/132ns
Testbedingung	400V, 35A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Basis-Produktnummer	NGTG35