NXH160T120L2Q2F2S1G
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH160T120L2Q2F2S1G
NXH160T120L2Q2F2S1G

NXH160T120L2Q2F2S1G

DigiKey-Teilenr.
488-NXH160T120L2Q2F2S1G-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH160T120L2Q2F2S1G
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 181A 500W 56-PIM
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Modul Dreistufiger Inverter 1200 V 181 A 500 W Chassisbefestigung 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
-
Konfiguration
Dreistufiger Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
181 A
Leistung - Max.
500 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,7V bei 15V, 160A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
38.8 nF @ 25 V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Ja
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
56-PIM/Q2PACK (93x47)
Basis-Produktnummer
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