Name: FDC658P
Brand: onsemi
SKU: FDC658PTR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDC658P
DigiKey-Teilenr.	FDC658PTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDC658PCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDC658PDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDC658P
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 4 A (Ta) 1,6W (Ta) Oberflächenmontage SuperSOT™-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDC658P Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	750 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,6W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SuperSOT™-6
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	FDC658