Name: IXTY1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-ND
Price: 4.88 EUR
Availability: InStock

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IXTY1R6N100D2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTY1R6N100D2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTY1R6N100D2
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IXTY1R6N100D2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10Ohm bei 800mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	27 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	645 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IXTY1

Fragen und Antworten zum Produkt

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70	€ 1,96986	€ 137,89
140	€ 1,79750	€ 251,65
560	€ 1,53054	€ 857,10
1 050	€ 1,43686	€ 1 508,70
2 030	€ 1,42748	€ 2 897,78

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