Name: IXTY08N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY08N100D2-ND
Price: 5.1728 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTY08N100D2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTY08N100D2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTY08N100D2
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	800mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	21Ohm bei 400mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	325 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IXTY08

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70	€ 2,09914	€ 146,94
140	€ 1,91757	€ 268,46
560	€ 1,63652	€ 916,45
1 050	€ 1,54311	€ 1 620,27

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