Name: IXTX32P60P
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTX32P60P-ND
Price: 27.7916 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 600 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3

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IXTX32P60P
DigiKey-Teilenr.	238-IXTX32P60P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTX32P60P
Beschreibung	MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 600 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 196 nC @ 10 V
Serie PolarP™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11100 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PLUS247™-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 32 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3 Variante
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXTX32
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 350mOhm bei 16A, 10V

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30	€ 14,60133	€ 438,04
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510	€ 12,78802	€ 6 521,89

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