IPA60R190E6XKSA1 steht für den Kauf zur Verfügung, befindet sich aber normalerweise nicht auf Lager.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 14
Stückpreis : € 2,46000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

IPA60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 9 226
Stückpreis : € 2,99000
Datenblatt

Ähnlich

FCP190N65F
onsemi
Vorrätig: 1 659
Stückpreis : € 4,65000
Datenblatt

Ähnlich

FCPF165N65S3L1
Rochester Electronics, LLC
Vorrätig: 30 060
Stückpreis : € 1,60646
Datenblatt

Ähnlich

PJMF190N60E1_T0_00001
Panjit International Inc.
Vorrätig: 1 813
Stückpreis : € 3,44000
Datenblatt

Ähnlich

STF18N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 921
Stückpreis : € 2,24000
Datenblatt

Ähnlich

STF21N65M5
STMicroelectronics
Vorrätig: 309
Stückpreis : € 4,85000
Datenblatt

Ähnlich

STF22NM60N
STMicroelectronics
Vorrätig: 1 925
Stückpreis : € 6,91000
Datenblatt

Ähnlich

STF24N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 916
Stückpreis : € 2,88000
Datenblatt

Ähnlich

STF24NM60N
STMicroelectronics
Vorrätig: 1 000
Stückpreis : € 3,80000
Datenblatt

Ähnlich

STF26N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 844
Stückpreis : € 2,96000
Datenblatt

Ähnlich

STF28N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 96
Stückpreis : € 3,33000
Datenblatt
Alle Ersatzkomponenten anzeigen und vergleichen
PG-TO220-FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA60R190E6XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA60R190E6XKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPA60R190E6XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA60R190E6XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 630µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
IPA60R
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Bestellung verfügbar
Dieses Produkt ist bei DigiKey nicht vorrätig. Die angegebene Lieferzeit gilt für die Lieferung des Herstellers an DigiKey. Nach Erhalt des Produkts wird DigiKey die offenen Bestellungen erfüllen.
Für neue Designs nicht empfohlen, Mindestbestellmengen eventuell erforderlich. Ersatzartikel anzeigen.
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
500€ 1,10998€ 554,99
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:€ 1,10998
Stückpreis mit MwSt.:€ 1,35418
zur Verwendung mitAlle anzeigen
2 Artikel
2EDN7524FXTMA1

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

€ 0,69000
2EDN7523FXTMA1

2EDN7523FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

€ 0,69000
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
1 Artikel
IPA60R190P6XKSA1

IPA60R190P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP

Infineon Technologies

€ 2,46000