Name: IPA60R190P6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA60R190P6XKSA1-ND
Price: 3.294 EUR
Availability: InStock

IPA60R190P6XKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPA60R190P6XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPA60R190P6XKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPA60R190P6XKSA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P6
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 7,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 630µ
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1750 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	34W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-FP
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	IPA60R

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,70000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 3,29400

IPA60R190P6XKSA1