Name: AIMZH120R060M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZH120R060M1TXKSA1-ND
Price: 12.1878 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AIMZH120R060M1TXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMZH120R060M1TXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AIMZH120R060M1TXKSA1
Beschreibung	SIC_DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 38 A (Tc) 197W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-11
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	38 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	75mOhm bei 13A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,1V bei 4,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	880 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	197W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-11
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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1	€ 9,99000	€ 9,99
30	€ 5,98500	€ 179,55
120	€ 5,10650	€ 612,78
510	€ 4,80973	€ 2 452,96

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