Name: AIMZH120R040M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZH120R040M1TXKSA1-ND
Price: 15.0914 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AIMZH120R040M1TXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMZH120R040M1TXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AIMZH120R040M1TXKSA1
Beschreibung	SIC_DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 55 A (Tc) 268W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-11
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	55 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,1V bei 6,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	43 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1264 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	268W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-11
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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30	€ 7,54633	€ 226,39
120	€ 6,49042	€ 778,85
510	€ 6,34820	€ 3 237,58

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