Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

650-V-TO-220 N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie DTMOS VI

Leistungs-MOSFETs von Toshiba verbessern die Effizienz von Stromversorgungen

Abbildung: 650-V-TO-220-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie DTMOS VI von ToshibaDie N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie DTMOS VI vonToshiba mit 650-V-Super-Junction-Struktur sind unter anderem für Schaltnetzteile in Industrieanlagen für Rechenzentren und Power Conditioner für Photovoltaik-(PV)-Generatoren konzipiert.

Die neuesten Produkte dieser Generation sind in einem branchenüblichen TO-220-Gehäuse untergebracht, das eine Größe von 10,167 mm x 13,9 mm x 2,74 mm aufweist.

Die Serie DTMOS VI hat den Gütefaktor (Drain-Source-Durchlasswiderstand x Gate-Drain-Ladung) im Vergleich zur aktuellen Generation der Serie DTMOS IV-H von Toshiba um etwa 40 % reduziert. Dadurch kann der Wirkungsgrad von Schaltnetzteilen um etwa 0,36 % verbessert werden.

Merkmale/Funktionen
  • Verbesserter Wirkungsgrad bei Schaltnetzteilen
  • TO-220-Gehäusetyp mit Durchgangsbohrung
Anwendungen/Zielmärkte
  • Industrielle Motorantriebe
  • Batterieladegeräte
  • AC/DC- oder DC/DC-Wandler
  • Schaltkreise zur Leistungsfaktorkorrektur
  • Energiespeichersysteme
  • Solarenergie
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)

650 V TO-220 N-Channel DTMOS VI Series Power MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
650V DTMOS VI TO-220 90MOHMTK090E65Z,S1X650V DTMOS VI TO-220 90MOHM53 - Sofort$5.85Details anzeigen
650V DTMOS VI TO-220 110MOHMTK110E65Z,S1X650V DTMOS VI TO-220 110MOHM50 - Sofort$5.15Details anzeigen
650V DTMOS VI TO-220 155MOHMTK155E65Z,S1X650V DTMOS VI TO-220 155MOHM344 - Sofort$4.17Details anzeigen
650V DTMOS VI TO-220 190MOHMTK190E65Z,S1X650V DTMOS VI TO-220 190MOHM80 - Sofort$3.71Details anzeigen
Veröffentlicht: 2022-09-06