Name: TK190E65Z,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK190E65ZS1X-ND
Price: 4.5262 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK190E65Z,S1X
DigiKey-Teilenr.	264-TK190E65ZS1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK190E65Z,S1X
Beschreibung	650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 15 A (Ta) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 610µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1370 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	130W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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50	€ 1,90680	€ 95,34
100	€ 1,73220	€ 173,22
500	€ 1,42626	€ 713,13
1 000	€ 1,34305	€ 1 343,05

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