Panasonic

CSP-Leistungs-MOSFETs

Fortschrittliche 110 nm feine Trenchzellen-Silizium-Technologie von Panasonic

Abbildung: CSP-Leistungs-MOSFETs von PanasonicPanasonic, ein weltweit führender Hersteller von Halbleiterprodukten, kündigt die Serien FJ3P02100L und FK3P02110L von CSP-Leistungs-MOSFETs an. Die CSP-Leistungs-MOSFET-Serie bietet ein Power-Mount-CSP-Gehäuse (PMCP), das aus einem einzigartigen Pad-Design und Drain-Clip-Technik besteht. Dies ermöglicht eine um 5 % verbesserte Wärmeableitung bei gleichzeitiger Verringerung der Größe um 80 % gegenüber herkömmlichen Lösungen. Die Fortschritte von Panasonic in der Zelltechnologie und Waferdünnungs-Fertigung haben zu Silizium mit einer 110 nm feinen Trench-Zelle geführt, die einen 47 % niedrigeren RDS(on) gegenüber gleich großen herkömmlichen Chips bietet. Durch die Nutzung dieser Technologie erreicht diese MOSFET-Serie eine höhere Energieeffizienz und reduziert den Stromverbrauch.

Merkmale
  • PMCP-Gehäuse (Power Mount CSP) ermöglicht um 5 % verbesserte Wärmeableitung, während gleichzeitig eine Verringerung der Größe um 80 % gegenüber herkömmlichen Lösungen erreicht wird
  • AEC-Q101-konform
  • Feine Trench-Silizium-Technologie bietet 47 % niedrigeren RDS(on) im Vergleich zu gleichgroßen herkömmlichen Chips, höhere Energieeffizienz und Reduzierung des Stromverbrauchs des Systems
  • Größe: FJ3P02100L: 2,0 mm x 2,0 mm x 0,33 mm, FK3P02110L: 1,8 mm x 1,6 mm x 0,33 mm
  • RDS(on): FJ3P02100L: 9,5 mΩ bei VGS=4,5 V (typ.), FK3P02110L: 12,5 mΩ bei VGS=2,5 V (typ.)
  • Halogenfrei und RoHS-konform, mit bleifreien Lötstellen


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Veröffentlicht: 2013-07-02