C3M0120065J Wolfspeed, Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

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C3M0120065J
DigiKey-Teilenr.	1697-C3M0120065J-ND
Hersteller	Wolfspeed, Inc.
Hersteller-Teilenummer	C3M0120065J
Beschreibung	650V 120M SIC MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 86W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	C3M0120065J Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Wolfspeed, Inc.
Serie	C3M™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	157mOhm bei 6,76A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,6V bei 1,86mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	640 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	86W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA

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50	€ 5,60860	€ 280,43
100	€ 5,38350	€ 538,35
250	€ 5,14588	€ 1 286,47
500	€ 5,00268	€ 2 501,34
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