Name: SQS415ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS415ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.6836 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQS415ENW-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQS415ENW-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQS415ENW-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQS415ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQS415ENW-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 16 A (Tc) 62,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8W
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16,1mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4825 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	62,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8W
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8W
Basis-Produktnummer	SQS415