Name: SQJQ900E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ900E-T1_GE3TR-ND
Price: 3.5746 EUR
Availability: InStock

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SQJQ900E-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJQ900E-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJQ900E-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJQ900E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJQ900E-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 100 A (Tc) 75W Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJQ900E-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,9mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	120nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5900pF bei 20V
Leistung - Max.	75W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 8 x 8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 8 x 8 Dual
Basis-Produktnummer	SQJQ900