Name: SQJ570EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ570EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.8422 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJ570EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ570EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ570EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJ570EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ570EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 15 A (Tc), 9,5 A (Tc) 27W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ570EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Tc), 9,5 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	45mOhm bei 6A, 10V, 146mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20nC bei 10V, 15nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	650pF bei 25V, 600pF bei 25V
Leistung - Max.	27W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer	SQJ570