Name: SIR150DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR150DP-T1-RE3TR-ND
Price: 1.464 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIR150DP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIR150DP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIR150DP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIR150DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR150DP-T1-RE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 45 V 30,9A (Ta), 110A (Tc) 5,2W (Ta), 65,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	45 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30,9A (Ta), 110A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,71mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4000 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5,2W (Ta), 65,7W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SIR150