Name: SIJH400E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH400E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.893 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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SIJH400E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIJH400E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIJH400E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIJH400E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIJH400E-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 57A (Ta), 608A (Tc) 3,3W (Ta), 385W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	57A (Ta), 608A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,52mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	330 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	15050 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta), 385W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 8 x 8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 8 x 8