Name: SIHW33N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHW33N60E-GE3-ND
Price: 8.3448 EUR
Availability: OutOfStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Chat (+39) 02 3859 4698 italy.support@digikey.com Co-Browse

SIHW33N60E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHW33N60E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHW33N60E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt	Datenblatt

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	33 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	99mOhm bei 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3508 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	278W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AD
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	SIHW33

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 6,84000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 8,34480

SIHW33N60E-GE3