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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHU7N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIHU7N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHU7N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 25 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Durchkontaktierung TO-251AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 600mOhm bei 3,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 680 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-251AA | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 2 240
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,21000 | € 2,21 |
| 10 | € 1,42500 | € 14,25 |
| 100 | € 0,97560 | € 97,56 |
| 500 | € 0,78352 | € 391,76 |
| 1 000 | € 0,72175 | € 721,75 |
| 3 000 | € 0,64338 | € 1 930,14 |
| 6 000 | € 0,63698 | € 3 821,88 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,21000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,69620 |
Italien