Name: SIHP052N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHP052N60EF-GE-ND
Price: 7.8568 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP052N60EF-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHP052N60EF-GE-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHP052N60EF-GE3
Beschreibung	MOSFET EF SERIES TO-220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 48 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	EF
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	48 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	52mOhm bei 23A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	101 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3380 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	278W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SIHP052

Fragen und Antworten zum Produkt

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50	€ 3,47340	€ 173,67
100	€ 3,18720	€ 318,72
500	€ 2,69800	€ 1 349,00

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