Name: SIHH080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHH080N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.2464 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHH080N60E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHH080N60E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIHH080N60E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIHH080N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHH080N60E-T1-GE3
Beschreibung	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 32 A (Tc) 184W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	E
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	32 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	80mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2557 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	184W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 8 x 8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN