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N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
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SIHG24N65EF-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHG24N65EF-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHG24N65EF-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
122 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2774 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
156mOhm bei 12A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 6,26000€ 6,26
10€ 4,22800€ 42,28
100€ 3,07310€ 307,31
500€ 2,58104€ 1 290,52
1 000€ 2,42312€ 2 423,12
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Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 6,26000
Stückpreis mit MwSt.:€ 7,63720