FCH170N60 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCH170N60
DigiKey-Teilenr.	FCH170N60-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FCH170N60
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FCH170N60 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	SuperFET® II
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	170mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2860 pF @ 380 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	227W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	FCH170

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30	€ 2,51967	€ 75,59
120	€ 2,50642	€ 300,77

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