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R6020ENZ1C9 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Direkter Ersatz
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
R6020ENZ1C9 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | R6020ENZ1C9-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | R6020ENZ1C9 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | R6020ENZ1C9 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 196mOhm bei 9,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 1mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1400 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 120W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247 | |
Gehäuse / Hülle |
Obsolet
Italien