R6020ENZ1C9 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


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IXYS
Vorrätig: 0
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IXYS
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Vorrätig: 439
Stückpreis : € 4,88000
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Vorrätig: 5 095
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Vorrätig: 0
Stückpreis : € 3,88000
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Stückpreis : € 6,04000
Datenblatt
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6020ENZ1C9

DigiKey-Teilenr.
R6020ENZ1C9-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6020ENZ1C9
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6020ENZ1C9 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
196mOhm bei 9,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (12)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
R6020ENZ4C13Rohm Semiconductor550846-R6020ENZ4C13-ND€ 5,52000Direkter Ersatz
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Obsolet
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