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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHFR9120-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIHFR9120-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHFR9120-GE3 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 100 V 5,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 600mOhm bei 3,4A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 390 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 2,5W (Ta), 42W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-252AA | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 544
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 0,98000 | € 0,98 |
| 10 | € 0,61300 | € 6,13 |
| 100 | € 0,40220 | € 40,22 |
| 500 | € 0,31158 | € 155,79 |
| 1 000 | € 0,28240 | € 282,40 |
| 3 000 | € 0,24533 | € 735,99 |
| 6 000 | € 0,22666 | € 1 359,96 |
| 12 000 | € 0,21096 | € 2 531,52 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,98000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 1,19560 |
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