SIHD5N80AE-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHD6N80E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHD6N80E-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHD6N80E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 5,4 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
E
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
940mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
827 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
SIHD6
Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge
Alle Preise in EUR
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,47000€ 2,47
10€ 1,60000€ 16,00
100€ 1,10230€ 110,23
500€ 0,88976€ 444,88
1 000€ 0,82145€ 821,45
3 000€ 0,74170€ 2 225,10
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:€ 3,01340