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Parametrisches Äquivalent

SIHB33N60ET5-GE3
Vishay Siliconix
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Vorrätig: 1 265
Stückpreis : € 10,15000
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TO-263-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB33N60ET1-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHB33N60ET1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
SIHB33N60ET1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
SIHB33N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHB33N60ET1-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
E
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
33 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
99mOhm bei 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3508 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHB33
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Menge
Alle Preise in EUR
Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 5,89000€ 5,89
10€ 3,97300€ 39,73
100€ 2,93360€ 293,36
* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
800€ 2,39676€ 1 917,41
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:€ 5,89000
Stückpreis mit MwSt.:€ 7,18580