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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


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Stückpreis : € 3,82000
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Vorrätig: 1 905
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Datenblatt
N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHB18N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHB18N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHB18N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
92 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1640 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
179W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
202mOhm bei 9A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
TK20G60W,RVQToshiba Semiconductor and Storage10TK20G60WRVQCT-ND€ 3,82000Direkter Ersatz
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