Name: SIHB186N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHB186N60EF-GE3-ND
Price: 4.1602 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHB186N60EF-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHB186N60EF-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHB186N60EF-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 8,4 A (Tc) 156W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	EF
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	193mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1081 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	SIHB186

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 3,41000	€ 3,41
50	€ 1,73360	€ 86,68
100	€ 1,57130	€ 157,13
500	€ 1,28702	€ 643,51
1 000	€ 1,19571	€ 1 195,71
2 000	€ 1,14872	€ 2 297,44

Standardverpackung des Herstellers

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