Name: SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND
Price: 6.8564 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIEH4800EW-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIEH4800EW-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIEH4800EW-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIEH4800EW-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8 BWL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,15mOhm bei 20A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 278 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 29000 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,4W (Ta), 417W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 34A (Ta), 381A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8 BWL
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerDFN