Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 2.501 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4816BDY-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4816BDY-T1-E3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4816BDY-T1-E3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	LITTLE FOOT®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,8 A, 8,2 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	18,5mOhm bei 6,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10nC bei 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	-
Leistung - Max.	1W, 1,25W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	SI4816