IRFZ48PBF ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 888
Stückpreis : € 3,26000
Datenblatt

Direkter Ersatz


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,38973
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,43000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,91693
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,49768
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 3 155
Stückpreis : € 1,49000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 1 259
Stückpreis : € 3,51000
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 550
Stückpreis : € 2,63000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 1 784
Stückpreis : € 2,63000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 29 410
Stückpreis : € 1,59000
Datenblatt
N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFZ48PBF

DigiKey-Teilenr.
IRFZ48PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFZ48PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFZ48PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
18mOhm bei 43A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 3,26000€ 3,26
50€ 1,64820€ 82,41
100€ 1,49260€ 149,26
500€ 1,21994€ 609,97
1 000€ 1,13237€ 1 132,37
2 000€ 1,07855€ 2 157,10
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 3,26000
Stückpreis mit MwSt.:€ 3,97720