Name: SM8S12AHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SM8S12AHE3_A/IGITR-ND
Price: 2.3668 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SM8S12AHE3_A/I
DigiKey-Teilenr.	SM8S12AHE3_A/IGITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SM8S12AHE3_A/IGICT-ND - Gurtabschnitt (CT) SM8S12AHE3_A/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	SM8S12AHE3_A/I
Beschreibung	TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	19,9V Klemme 332 A Ipp TVS - Dioden Oberflächenmontage DO-218AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Schaltungsschutz Überspannungsbegrenzer (TVS) TVS-Dioden
Herst.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	PAR®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Typ	Zener
Unidirektionale Kanäle	1
Spannung - Rückwärts-Sperrsp. (typ.)	12V
Spannung - Durchbruch (Min.)	13,3V
Spannung - Klemmung (Max.) bei Ipp	19,9V
Strom - Spitzenimpuls (10/1000µs)	332 A
Leistung - Spitzenimpulse	6600W (6,6kW)
Netzleitungsschutz	Nein
Anwendungen	-
Kapazität bei Frequenz	-
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	DO-218AB
Gehäusetyp vom Lieferanten	DO-218AB
Basis-Produktnummer	SM8S12