Name: BYV26E-TAP
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: BYV26E-TAPTB-ND
Price: 0.6222 EUR
Availability: InStock

Dioden 1000 V 1A Durchkontaktierung SOD-57

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BYV26E-TAP
DigiKey-Teilenr.	BYV26E-TAPCT-ND - Gurtabschnitt (CT) BYV26E-TAPTB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	BYV26E-TAP
Beschreibung	DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD 57
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 1000 V 1A Durchkontaktierung SOD-57
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BYV26E-TAP Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Verpackung	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	1000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	1A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	2.5 V @ 1 A
Geschwindigkeit	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	75 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	5 µA @ 1000 V
Kapazität bei Vr, F	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	SOD-57, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOD-57
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer	BYV26