Name: TPH9R506PL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH9R506PLLQTR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPH9R506PL,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPH9R506PLLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPH9R506PLLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPH9R506PLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPH9R506PL,LQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 34 A (Tc) 830mW (Ta), 81W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	34 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,5mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 200µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1910 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	830mW (Ta), 81W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	TPH9R506