Name: TK5P53D(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK5P53D(T6RSS-Q)TR-ND
Price: 2.318 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK5P53D(T6RSS-Q)
DigiKey-Teilenr.	264-TK5P53D(T6RSS-Q)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TK5P53D(T6RSS-Q)CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TK5P53D(T6RSS-Q)DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK5P53D(T6RSS-Q)
Beschreibung	MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 525 V 5 A (Ta) 80W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK5P53D(T6RSS-Q) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	525 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5Ohm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	540 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	80W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	TK5P53