Name: TK4R9E15Q5,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK4R9E15Q5,S1X-ND
Price: 6.283 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK4R9E15Q5,S1X
DigiKey-Teilenr.	264-TK4R9E15Q5,S1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK4R9E15Q5,S1X
Beschreibung	150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 2,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7820 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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50	€ 2,72320	€ 136,16
100	€ 2,48950	€ 248,95
500	€ 2,08258	€ 1 041,29

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